2023年全国高考·冲刺预测卷(一)化学

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2023年全国高考·冲刺预测卷(一)化学试卷答案

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(4)GaN是第三代半导体材料的研究热点,在干燥的NH3气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN、GaP、GaAs晶体类型与SiC相似,熔点如下表所示,其熔点差异的原因是。

(2)N2O的产生。N2O是硝酸生产中氨催化氧化的副产物:2NH3(g)+2O2(g加热他化剂N2O(g)+3H2O(g)。若该反应前内NH3的浓度减小了0.2molL^-1,则0~2min内,v(N2O)=molL^-1^-1。

7.合成某种镇痉利胆药物的中间反应如图所示。下列说法正确的是A.a的分子式为C7H6O3B.1molb最多消耗4molH2C.在加热条件下可用新制氢氧化铜悬浊液鉴别a和bD.等物质的量的a和b最多消耗氢氧化钠的物质的量之比为1:3

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